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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
設備主要是通過真空-壓力浸漬的方法，制備航空、航天用金屬基復合材料、樹脂基復合材料、C/C復合材料，提高復合材料的致密度和綜合性能。
特點：
浸漬固化一體化設備。
壓力：0.6MPa-10MPa
溫度：300℃-1000℃
可選項：
1、臥式
2、立式
目前該設備已形成系列化產(chǎn)品，可根據(jù)客戶實際需求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網(wǎng)址：www.whzbdl.com
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